全息光刻制备808 nm分布反馈半导体激光器的光栅

• 作者: 刘丹丹 叶镇 张屿 王勇 王晓华 高占琦
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光器 半导体激光器 分布反馈 光栅 全息光刻
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 激光器与激光光学
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: O469
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201542.0202008

摘要

实验优化设计了808 nm分布反馈(DFB)半导体激光器的二级布拉格光栅结构,介绍了808 nm DFB半导体激光器光栅制备的工艺过程.采用全息光刻方法和湿法腐蚀技术在GaAs衬底片上制备了周期为240 nm的光栅图形,全息光刻系统采用条纹锁定技术降低条纹抖动和提高干涉稳定性,腐蚀液中H3PO4、H2O2和H2O的体积比为1:1:10,腐蚀时间为30s.光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测试显示,光栅周期为240 nm,占空比为0.25,深度为80 nm,具有完美的表面形貌及良好的连续性和均匀性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘丹丹		5	24	2.0	4.0
2	王勇		26	43	4.0	5.0
3	王晓华		54	156	7.0	9.0
4	叶镇		3	1	1.0	1.0
5	高占琦		3	1	1.0	1.0
6	张屿		2	1	1.0	1.0