In/Mg掺杂ZnO纳米锥电子结构及场发射性能

• 作者: 何银花 王发展
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 氧化锌纳米锥 电子输运 场发射
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 页码范围: 1897-1904
• 页数: 8页
• 分类号: O469
• 字数: 3467字
• 语种: 中文

摘要

以第一性原理计算方法为基础,研究了不同构型的ZnO-NC(氧化锌纳米锥),得到了五种稳定的几何结构,电子结构分析表明Zn-Zn(4P)的场发射性能最优.在此基础上,进一步研究了In/Mg掺杂Zn-Zn(4P)体系的场发射性能,结果表明:掺杂使结构稳定性增强,相比掺Mg和未掺体系,掺In提高了LDOS(局域态密度)峰值且峰位更靠近EF(费米能级),尖端电子密度增大;根据Mulliken电荷、HOMO(最高占据分子轨道)-LUMO(最低未占据分子轨道)能隙及有效功函数的计算,可知In-In(4P)具有更优异的场发射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王发展	西安建筑科技大学材料与矿资学院	66	416	11.0	16.0
5	何银花	西安建筑科技大学材料与矿资学院	7	18	3.0	3.0