聚吡咯氧化石墨烯修饰的神经微电极阵列

• 作者: 宋轶琳 徐声伟 王力 石文韬 蒋庭君 蔡新霞
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电沉积 阻抗 神经微电极阵列 聚吡咯氧化石墨烯
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 生物电子学
• 页码范围: 623-626
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.3
• 字数: 2698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.04.025

摘要

利用电化学方法，在多通道神经微电极阵列芯片上制备聚吡咯氧化石墨烯薄膜材料，并对该材料的电化学行为进行了分析。对神经微电极阵列芯片采用计时电压法探究，确定了定向修饰聚吡咯氧化石墨烯薄膜的最佳电沉积条件。微电极阵列芯片为多通道实时检测神经细胞的电生理和电化学信号提供了一种新的器件，但其检测灵敏度、信噪比需进一步的提高。将聚吡咯氧化石墨烯的平面微电极阻抗值降低了92.1%，且提高了对多巴胺循环伏安响应的灵敏度，对神经电生理信号和电化学信号的检测具有重要意义。