腔室气密性是影响集成电路(IC)装备真空腔室内流场均匀性的重要因素,腔室漏率数量级不高于6310? Pa?m /s、极限真空度数量级不高于410? Pa ,才能满足 IC 工艺的漏率要求.本文用氦质谱检漏仪检测真空腔室泄漏情况,并将泄漏处逐一进行堵漏处理,使腔室气密性能达到 IC 装备的工艺要求.用静态升压法计算得出腔室漏率为 638.84×10? Pa?m /s ,极限真空度为42×10? Pa ,考虑用于实际生产的工艺腔室体积小(10~30 L),而本实验腔室体积(84.5 L)较大,所以搭建的真空室可以满足 IC装备的漏率要求.