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摘要:
腔室气密性是影响集成电路(IC)装备真空腔室内流场均匀性的重要因素,腔室漏率数量级不高于6310? Pa?m /s、极限真空度数量级不高于410? Pa ,才能满足 IC 工艺的漏率要求.本文用氦质谱检漏仪检测真空腔室泄漏情况,并将泄漏处逐一进行堵漏处理,使腔室气密性能达到 IC 装备的工艺要求.用静态升压法计算得出腔室漏率为 638.84×10? Pa?m /s ,极限真空度为42×10? Pa ,考虑用于实际生产的工艺腔室体积小(10~30 L),而本实验腔室体积(84.5 L)较大,所以搭建的真空室可以满足 IC装备的漏率要求.
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文献信息
篇名 IC装备真空腔室的气密性检测试验及分析
来源期刊 五邑大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 真空腔室 氦质谱检漏仪 静态升压法 漏率
年,卷(期) 2015,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 59-63,78
页数 6页 分类号 TB774
字数 2701字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨铁牛 五邑大学机电工程学院 39 128 7.0 9.0
2 周玉林 五邑大学机电工程学院 3 12 2.0 3.0
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研究主题发展历程
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真空腔室
氦质谱检漏仪
静态升压法
漏率
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
五邑大学学报(自然科学版)
季刊
1006-7302
44-1410/N
大16开
广东省江门市东成村22号
1994
chi
出版文献量(篇)
1389
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2
总被引数(次)
4186
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