VO2/Al2O3复合膜系的制备及其相变特性

• 作者: 乔亚 凌永顺 王辉 路远
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Al2O3薄膜 VO2薄膜 封装 相变
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 421-424
• 分类号: TN97
• 语种: 中文

摘要

钒的氧化物具有对温度敏感的半导体-金属可逆相变特性.在多种钒氧化合物中,VO2的相变温度点约为68℃,适用于很多应用领域.VO2长期暴露在空气中时,会被氧化.研究了通过制备VO2/Al2O3复合膜系来保持氧化钒薄膜的稳定性的方法.采用TFCalc薄膜设计软件,设计了VO2/Al2O3复合膜系.依据材料的折射率和消光系数,优化了膜系各膜层的厚度,分析了复合膜系的相变特性.采用磁控溅射方式制备了氧化钒薄膜,再通过氧氩混合气氛热处理得到VO2占主要成分的氧化钒薄膜.在氧化钒薄膜上采用射频磁控溅射方法封装了120 nm厚的Al2O3膜.利用分光光度计测量分析了膜系的相变特性,Al2O3膜对VO2膜的相变性能影响很小.Al2O3膜适于VO2薄膜的封装.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	路远	电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室	34	257	10.0	15.0
5	乔亚	电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室	16	63	5.0	7.0
9	凌永顺	电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室	45	359	11.0	17.0
13	王辉		8	8	2.0	2.0