快速热氧化制备超薄二氧化硅层及其钝化效果

• 作者: 戴准 房剑锋 杨德仁 汪雷 郑佳毅 郭春林
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: RTO SiO2薄膜 太阳电池 钝化
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 17-21
• 分类号: TB34
• 语种: 中文

摘要

二氧化硅(SiO2)是制备高效晶体硅太阳电池常用的钝化手段.本文利用快速热氧化(RTO)技术在晶体硅表面制备超薄SiO2层,考察其对硅表面的钝化作用.在100％O2气氛下,900℃RTO处理180s,可以使样品的少子寿命达到146.6μs的最佳值.采用RTO方法制备的SiO2薄膜厚度可以控制在几个纳米范围.通过与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统沉积的氮化硅(SiNx)薄膜形成叠层钝化膜,可以进一步提高对太阳电池表面的钝化效果.单层SiNx薄膜钝化的样品有效载流子寿命为51.67μs,SiO2/SiNx叠层薄膜钝化的样品有效载流子寿命提高到151.18μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学系	180	1513	20.0	31.0
2	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学系	41	646	13.0	25.0
3	郭春林	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学系	1	2	1.0	1.0
4	戴准	浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学系	1	2	1.0	1.0
5	房剑锋		1	2	1.0	1.0
6	郑佳毅		1	2	1.0	1.0