高优值系数In4Se3多晶的制备及其热电输运特性

• 作者: 胡扬端瑞 舒雨田 赵然 郭福 马立民
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: In4Se3 热电性能 真空熔炼 退火
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 249-255
• 页数: 7页
• 分类号: TB34
• 字数: 3563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20140396

摘要

分别采用不同的熔炼、退火工艺,结合放电等离子烧结方法制备了块状多晶 In4Se3热电材料。研究了熔炼时间和退火时间对材料物相、成分、显微结构及热电性能的影响。熔炼后铸锭中存在In及InSe杂相, Se缺失量随熔炼时间的延长而增加,使得样品载流子浓度增大,电导率有所提高,熔炼48 h样品ZT值相对较高。在确定熔炼工艺的基础上,进行不同时间的退火处理后, InSe相消失,显微结构中分布有较大尺寸的台阶状结构,这种台阶状结构有利于降低热导率,而对电导率无明显影响。实验结果表明：一定程度延长熔炼时间、退火时间对提高样品的热电性能有积极作用,其中熔炼48 h再退火96 h后的样品ZT值最高,在702 K达到0.83,比文献值提高约32%。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭福	北京工业大学材料科学与工程学院	92	650	13.0	21.0
2	马立民	北京工业大学材料科学与工程学院	20	47	4.0	5.0
3	赵然	北京工业大学材料科学与工程学院	15	22	3.0	4.0
4	舒雨田	北京工业大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
5	胡扬端瑞	北京工业大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0