超高频感应加热功率组件MOSFET突波抑制探讨

• 作者: 杨明哲 陈婉佩 陈幕平 陈柏燊 黄俊郎
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 高频感应加热 功率组件 电磁感应加热 切换技术 RBSOA 供电器 高稳定度
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 131-135
• 页数: 5页
• 分类号: TN86

摘要

本文主要探讨超高频电磁感应加热供电器MOSFET功率组件，于应用时，为达到高稳定度需加考量的相关技术与要点，包括以零电压切换技术来达到突波抑制、防止功率组件震荡的MOSFET小信号模式分析、RBSOA的量测、MOSFET失效检视等课题，研究建构于3kW超高频感应加热供电器，工作频率最高可达1MHz．硬件架构采用串联共振系统，藉此供电器进行相关课题探讨研究。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈幕平		1	0	0.0	0.0
2	杨明哲		1	0	0.0	0.0
3	陈婉佩		1	0	0.0	0.0
4	陈柏燊		1	0	0.0	0.0
5	黄俊郎		1	0	0.0	0.0