晶型及化学成分对SiC粉体氧化性能的影响

• 作者: 杨家庆 王嘉博 王晓刚 王楠 邓丽荣
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: SiC粉体 氧化性能 化学成分
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 粉体加工与处理
• 页码范围: 14-16,25
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.13732/j.issn.1008-5548.2015.05.003

摘要

研究粒度标号为W2.5和W10、晶型为3C和6H的3C-W25、3C-W10、6H-W25、6H-W10这4种SiC粉体的氧化性能,通过同步热分析仪讨论4种粉体在30～1 400℃时的非等温氧化特性,采用X射线衍射和扫描电子显微镜对氧化前、后粉体的物相和表面性质进行表征.结果表明:起始氧化温度从高到低的SiC粉体依次为3C-W10、6H-W2.5、6H-W10、3C-W2.5,与其化学成分中SiO2相对含量由大到小的关系相一致;在相同实验条件下,高温氧化后同一晶型的粉体粒度标号为W2.5的质量变化大于W10的,粒度相同时,3C-SiC的质量变化小于6H-SiC的;加热至1 400℃后,SiC晶体表面有玻璃状SiO2生成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓刚	西安科技大学陕西省硅镁产业节能与多联产工程技术研究中心	139	838	15.0	23.0
2	邓丽荣	西安科技大学材料科学与工程学院	25	94	6.0	9.0
3	王楠	西安科技大学材料科学与工程学院	39	53	4.0	6.0
4	王嘉博	西安科技大学材料科学与工程学院	13	12	2.0	2.0
5	杨家庆	西安科技大学陕西省硅镁产业节能与多联产工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0