Ag 的掺杂量对 Zn0．5Cd0．5S/Ag 半导体材料光催化性能的影响

• 作者: 刘建秀 张大凤 张彤彤 蒲锡鹏
• 来源期刊: 聊城大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: Zn0 .5 Cd0 .5 S/Ag 燃烧法 荧光性能 光催化性能
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 基础科学研究
• 页码范围: 34-36,87
• 页数: 4页
• 分类号: O644
• 字数: 2295字
• 语种: 中文

摘要

采用燃烧法制备了Zn0．5 Cd0．5 S／Ag半导体材料．利用X‐射线粉末衍射仪（XRD），扫描电子显微镜（SEM ），荧光分光光度计（PL）以及紫外‐可见分光光度计（UV‐vis）对所制备得到的样品进行了表征．研究了Ag的掺杂量对Zn0．5 Cd0．5 S／Ag半导体材料的结构、形貌、发光性能和光催化效果的影响．结果表明，Ag的掺杂量对样品的形貌基本没有影响，但是对样品的结构、发光性能以和光催化效果有着显著地影响．研究表明：随着Ag掺杂量的增加，半导体材料中出现了AgS杂相；另外，样品的发光强度逐渐降低；而当Ag的掺杂量为0．1时，所制备的Zn0．5 Cd0．5 S／Ag半导体材料对亚甲基蓝溶液（MB）的光催化效果最好．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒲锡鹏	聊城大学材料科学与工程学院	27	121	5.0	10.0
2	张大凤	聊城大学材料科学与工程学院	24	89	4.0	8.0
3	刘建秀	聊城大学材料科学与工程学院	3	14	3.0	3.0
4	张彤彤	聊城大学材料科学与工程学院	2	5	1.0	2.0