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硅酸盐体系负向电压对氢化锆表面微弧氧化膜的影响
硅酸盐体系负向电压对氢化锆表面微弧氧化膜的影响
作者:
刘向东
徐志高
王志刚
闫淑芳
陈伟东
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
氢化锆
微弧氧化
负向电压
氧化膜
摘要:
采用WHD-30型双向交流脉冲电源对氢化锆表面进行微弧氧化处理,研究了负向电压对氢化锆表面微弧氧化膜的厚度、表面形貌、截面形貌、相结构及阻氢性能的影响.实验选取电解液体系为Na2 SiO3-NaOH-Na2 EDTA体系,正向电压为350V,电源频率为200 Hz,氧化时间为20 min;氢化锆表面微弧氧化膜的阻氢性能采用真空脱氢实验进行测试.研究结果表明:负向电压在120~ 160 V范围内变化时,氢化锆表面微弧氧化膜的厚度在30 ~ 90 μm范围内,氧化膜的厚度随着负向电压的升高而增大.氧化膜外部为疏松层,存在孔洞和裂纹缺陷,氧化膜内部为致密层,与基体结合紧密,无孔洞和裂纹缺陷.氧化膜相结构由单斜相氧化锆(M-ZrO2)和四方相氧化锆(T-Zr01.88)构成,并以单斜相氧化锆(M-Zr02)为主.负向电压升高有利于增大氧化膜致密层的厚度,进而提高氧化膜的阻氢能力.当负向电压为160 V时,氧化膜的阻氢能力最高,氢渗透降低因子(PRF,permeation reduction factor)值达到10.4.
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篇名
硅酸盐体系负向电压对氢化锆表面微弧氧化膜的影响
来源期刊
稀有金属
学科
工学
关键词
氢化锆
微弧氧化
负向电压
氧化膜
年,卷(期)
2015,(10)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
902-907
页数
分类号
TG174.4|TG146.4+1
字数
语种
中文
DOI
10.13373/j.cnki.cjrm.2015.10.007
五维指标
作者信息
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姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘向东
内蒙古工业大学材料科学与工程学院
106
541
11.0
18.0
2
陈伟东
内蒙古工业大学材料科学与工程学院
34
100
6.0
8.0
4
闫淑芳
内蒙古工业大学材料科学与工程学院
33
91
5.0
7.0
7
徐志高
武汉工程大学绿色化工过程教育部重点实验室
29
339
10.0
17.0
8
王志刚
内蒙古工业大学材料科学与工程学院
5
23
4.0
4.0
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微弧氧化
负向电压
氧化膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
稀有金属
主办单位:
北京有色金属研究总院
出版周期:
月刊
ISSN:
0258-7076
CN:
11-2111/TF
开本:
大16开
出版地:
北京新街口外大街2号
邮发代号:
82-167
创刊时间:
1977
语种:
chi
出版文献量(篇)
4172
总下载数(次)
13
总被引数(次)
39184
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