嵌入吸收式单刀八掷开关电路

• 作者: 唐小宏 杨刘君 王玲 肖飞
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 嵌入吸收式 匹配电路 寄生参数 单刀八掷开关 表面波
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 通信与信息工程
• 页码范围: 830-834
• 页数: 5页
• 分类号: TN99|O44
• 字数: 2432字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2015.06.006

摘要

提出了一种嵌入吸收式单刀八掷开关电路结构。利用PIN二极管的通断特性，设计了1个在14～18 GHz频率范围内的吸收式单刀八掷(SP8T)开关电路，导通损耗小于3.9 dB，输出端回波损耗大于10 dB；隔离度大于60 dB，输入、输出端回波损耗大于12 dB。该电路将吸收电阻嵌入在基片下接地板内，相比传统结构的吸收式开关电路，具有在导通状态下损耗略小；在关断状态下输出端反射信号较小。该嵌入吸收式结构也可应用于吸收式的衰减电路及限幅电路中。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐小宏	电子科技大学电子工程学院	40	269	10.0	14.0
2	王玲	电子科技大学电子工程学院	33	159	7.0	10.0
3	肖飞	电子科技大学电子工程学院	27	71	5.0	6.0
4	杨刘君	电子科技大学电子工程学院	1	0	0.0	0.0