高功率808 nm AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征

• 作者: 乔彦彬 张海峰 赵东艳 陈燕宁
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 关键词: 半导体技术 热耦合特征 红外热成像技术 有限元 高功率808 nm AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 10-13,35
• 页数: 5页
• 字数: 911字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2015.00010

摘要

利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808 nm半导体激光器巴条热耦合特征,给出了稳态和瞬态热分析,呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加,热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外,作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔彦彬		2	5	2.0	2.0
2	陈燕宁		2	8	2.0	2.0
3	赵东艳		16	97	5.0	9.0
4	张海峰		8	67	4.0	8.0