Ga掺杂ZnO氧化物的热学性能的研究

• 作者: 张久兴 张忻 张飞鹏 房慧 路清梅 马硕章
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 ZnO Ga掺杂 热学性能
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体光电
• 页码范围: 107-112
• 分类号: TN377|O481
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2015.01.016

摘要

在密度泛函理论和线性响应的密度泛函微扰理论基础上通过第一性原理计算的方法研究了Ga掺杂ZnO氧化物的热学参数和热学性能.计算结果表明, Ga掺杂使ZnO氧化物晶胞增大;在所研究温度范围内,纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的晶格热容均随温度升高不断增大,其晶格热容在最高温度900 K分别达到16.5 Cal.mol-1K-1和31.3 Cal.mol-1K-1.纯的ZnO和Ga掺杂的ZnO的德拜温度θD均随温度升高不断增大.Ga掺杂在ZnO中引入了新的振动模式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张久兴		226	2057	21.0	35.0
2	张忻	北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室	52	194	6.0	12.0
3	路清梅	北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室	48	255	8.0	14.0
4	张飞鹏	河南城建学院数理学院	22	70	5.0	7.0
6	房慧	广西民族师范学院物理与电子工程系	26	22	2.0	4.0
7	马硕章	广西民族师范学院物理与电子工程系	5	7	2.0	2.0