Ga掺杂ZnO导电粉的制备与工艺优化

• 作者: 李燕 王鑫 郑冀
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: Ga掺杂 ZnO导电粉 正交实验 均相沉淀
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 研究·分析
• 页码范围: 36-39
• 分类号: TM241|TM205.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8887.2011.04.008

摘要

通过正交实验设计,对Ga掺杂ZnO导电粉的制备工艺进行优化,确定出其最优参数为:掺杂比2mol％,反应温度85℃,反应时间10h,煅烧温度550℃.利用XRD、SEM和XPS对样品的性能进行检测,结果表明,按此条件制备的掺杂样品,经测量其电阻率为3.3×104Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李燕	天津大学材料科学与工程学院	18	165	7.0	12.0
3	王鑫	天津大学材料科学与工程学院	56	364	10.0	16.0
5	郑冀	天津大学材料科学与工程学院	24	365	12.0	18.0