B2 O3掺杂对 Pb0．925Ba0．075 Nb2 O6压电陶瓷结构和电学性能的影响

• 作者: 刘志刚 刘鹏 晁波 赵小刚 陈晓明
• 来源期刊: 陕西师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 偏铌酸铅 压电陶瓷 压电性能 介电性能
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 37-42
• 页数: 6页
• 分类号: O482.4
• 字数: 3336字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15983/j.cnki.jsnu.2015.03.234

摘要

采用传统的电子陶瓷制备方法，以氧化硼（B2 O3）为掺杂剂，制备了 Pb0．925 Ba0．075 Nb2 O6-0．5wt．％TiO2-xwt．％B2 O3（PBNT-xB）（x ＝0、0．02、0．04、0．06、0．08）压电陶瓷。详细研究了B3＋离子掺杂对偏铌酸铅（PbNb2 O6）基陶瓷的晶格结构、显微结构、介电及压电性能的影响。结果表明，适量 B2 O3有助于提高陶瓷的致密度，陶瓷的晶粒尺寸和晶格参数随着 B2 O3掺杂量的不同而改变。B2 O3的掺杂量为 x＝0．04且在1260℃烧结的陶瓷表现出优异的介电及压电性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鹏	陕西师范大学物理学与信息技术学院	110	534	13.0	17.0
2	陈晓明	陕西师范大学物理学与信息技术学院	14	36	2.0	5.0
3	刘志刚	陕西师范大学物理学与信息技术学院	8	9	2.0	2.0
4	赵小刚	陕西师范大学物理学与信息技术学院	4	4	1.0	2.0
5	晁波	陕西师范大学物理学与信息技术学院	3	5	1.0	2.0