纳米Gd2O3掺杂对WO3基陶瓷电学行为的影响

• 作者: 刘旭 张英 郭娜
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: WO3基压敏陶瓷 I-V特性 介电常数 微观结构 相结构
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究·分析·实验
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TM287
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8887.2008.04.006

摘要

采用传统电子陶瓷工艺制备纳米Gd2O3掺杂的WO3陶瓷,对其电学行为进行研究,分析了显微结构与其电学行为的关系.结果表明,小剂量的纳米Gd2O3掺杂能明显改善WO3陶瓷的非线性电学特性,这种影响被认为是元素替代和由此而引起的晶粒尺寸减小共同作用的结果.当掺杂量为50%(摩尔分数,下同)时,Gd2O3和WO3发生固相反应生成Gd2(WO4)3相,该相导致WO3相减少甚至消失,这是导致WO3陶瓷非线性电学行为消失的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘旭	西南交通大学超导中心	40	177	7.0	11.0
2	张英	西南交通大学超导中心	11	20	2.0	4.0
3	郭娜	西南交通大学超导中心	3	3	1.0	1.0