日本新技术使芯片耗电力降至1/10联电抢先导入生产

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化物半导体 晶圆代工 电池寿命 流外 液晶技术 逻辑集成电路 穿戴式 三星电子
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 35-35
• 页数: 1页
• 分类号: TN405

摘要

【正】日本半导体(芯片)、液晶技术研发机构日本半导体能源研究所(SEL、Semiconductor Energy Laboratory)已研发出可将耗电力压缩至现行1/10以下水准的下代芯片量产技术,且台湾晶圆代工大厂联电将抢先在2016年夏天开始生产采用上述技术的CPU、存储器产品。报导指出,SEL舍弃现行主流的硅、改用IGZO的氧化物半导体的特殊结晶体,借由形成多层电子电路(electronic circuit)、防止电流外漏,借此达到省电的效果,除可大幅改善智能手机等电子机器的电池寿命之外,也有望促进智能手