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摘要:
通过电化学腐蚀的方法制备发橙色荧光的多孔硅,采用荧光光谱和透射电镜对制备的多孔硅进行表征.结果表明,其在空气中放置时,荧光会逐渐降低,直至完全消失.进一步对其透射电镜图片进行分析认为,令其发光的根本原因是多孔硅内部存在着单晶的硅晶粒.通过热反应和光反应两种方法在多孔硅表面引入Hg2+识别基团,得到多孔硅化学传感器S1和S2.二者均可实现对Hg2+的选择性识别.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 基于多孔硅的 Hg2+荧光化学传感器
来源期刊 信阳师范学院学报(自然科学版) 学科 化学
关键词 多孔硅 荧光化学传感器 电化学腐蚀 汞离子
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目 ? 应用技术研究?
研究方向 页码范围 218-221
页数 4页 分类号 O644.16
字数 2929字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-0972.2015.02.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭玉华 安阳工学院化学与环境工程学院 25 83 5.0 8.0
2 郁有祝 安阳工学院化学与环境工程学院 33 92 5.0 8.0
3 彭宏艳 安阳工学院化学与环境工程学院 10 6 1.0 1.0
4 王芳 安阳工学院化学与环境工程学院 35 19 3.0 3.0
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研究主题发展历程
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多孔硅
荧光化学传感器
电化学腐蚀
汞离子
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信阳师范学院学报(自然科学版)
季刊
1003-0972
41-1107/N
大16开
河南省信阳市
36-112
1981
chi
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