分析TFT亮态漏电流影响因素的测试方法

• 作者: 侯清娜 冯兰 刘冬 张新宇 林鸿涛 王峥
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管液晶显示 TFT测试方法 亮态漏电流
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 器件物理及器件制备技术
• 页码范围: 628-633
• 页数: 6页
• 分类号: TN141
• 字数: 2160字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153004.0628

摘要

对于薄膜晶体管液晶显示器来说,TFT的特性对产品的品质有很大的影响,而其亮态漏电流Ioff的影响尤为重要.为改善器件性能,需要深入分析TFT亮态漏电流的影响因素.本文在实验基础上提出一种测试方法,首先使用BM PR(Black Matrix Photo Resist)对TFT沟道的不同位置进行遮挡;再对遮挡样品进行TFT特性测试.进而能模拟出实际工作中的TFT亮态漏电流,可以更加简便有效地优化TFT下方的栅极金属线宽,同时降低亮态漏电流.最后制作了54.6 cm(21.5 in)改善样品,通过新测试方法分析,将栅极金属线加宽约1.5 μm,改善后样品的亮态漏电流从14.08 pA降至约9.50 pA.所以,使用新的测试方法无需将样品制作到模组后再进行品质评价,简单有效并降低了产品制造成本.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘冬		4	17	3.0	4.0
2	林鸿涛		6	18	3.0	4.0
3	王峥		3	13	2.0	3.0
4	冯兰		2	6	1.0	2.0
5	侯清娜		2	6	1.0	2.0
6	张新宇		1	1	1.0	1.0