Ga、K双掺杂P型Bi0.5Sb1.5Te3材料的制备及热电性能

• 作者: 丁时锋 张汪年 段兴凯 满达虎 胡孔刚 马明亮
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 双掺杂 真空熔炼 热压 显微结构 热电性能
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 759-762
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文

摘要

采用真空熔炼和热压方法制备了Ga和K双掺杂Bi0.5Sb1.5Te3热电材料.XRD结果表明,Ga0.02Bi0.5Sb1.48-xKxTe3块体材料的XRD图谱与Bi0.5Sb1.5Te3的XRD图谱对应一致,但双掺杂样品的衍射峰略微向左偏移.热压块体材料中存在明显的(001)晶面择优取向.SEM形貌表明材料组织致密且有层状结构特征.Ga和K双掺杂可使Bi0.5Sb1.5Te3在室温附近的Seebeck系数有一定的提高,而双掺杂样品的电导率均得到了不同程度的提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品的电导率得到较明显的改善.在300～500 K测量温度范围内,所有双掺杂样品的热导率高于Bi0.5Sb1.5Te3的热导率,在300 K附近双掺杂样品的ZT值得到提高,其中Ga0.02Bi0.5Sb1.42K0.06Te3样品在300 K时ZT值达到1.5.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马明亮		39	264	10.0	13.0
2	胡孔刚		29	76	4.0	7.0
3	满达虎		32	92	4.0	8.0
4	丁时锋		35	138	7.0	9.0
5	张汪年		30	55	3.0	6.0
6	段兴凯		22	36	4.0	4.0