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摘要:
利用传输矩阵法及对色散缺陷层采用洛伦兹振子模型,研究了一维含色散缺陷的Sinc函数型光子晶体的光子禁带和色散缺陷模,计算了该周期结构的复有效折射率.结果表明,加入缺陷层后可获得宽阔的光子禁带;缺陷层引入色散后在中心圆频率附近色散缺陷模出现;随着振子强度的增大,增益性缺陷模圆频率发生阶跃式移动,其透射率显著增大,而吸收性缺陷模的透射率显著减小,此时缺陷模处的色散曲线有一个近乎垂直的斜率,此处的群速度将大大降低;增益性缺陷层基底折射率对缺陷模频率影响显著;缺陷层位于周期结构中心层时缺陷模频率最低、透射率最大.增大入射角使得缺陷模红移,增益性缺陷模在特殊入射角处透射率会出现千倍增益.
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文献信息
篇名 色散缺陷对Sinc函数型光子晶体带隙的影响
来源期刊 中国激光 学科 物理学
关键词 材料 函数光子晶体 传输矩阵法 色散缺陷 光子带隙
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目 材料
研究方向 页码范围 165-173
页数 9页 分类号 O734
字数 语种 中文
DOI 10.3788/CJL201542.0406001
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作者信息
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1 王筠 30 19 2.0 3.0
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