Si和UO2芯块表面ZrB2薄膜的制备和表征

• 作者: 刘婷婷 刘朋闯 庞晓轩 张鹏程 王庆富 王志刚
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 二硼化锆 磁控溅射 薄膜
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 723-726
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

ZrB2薄膜作为可燃中子毒物在反应堆上得以应用.本研究采用磁控溅射的方法在Si(111)和UO2芯块表面制备了ZrB2薄膜.利用扫描电镜(SEM)对薄膜的表面与截面形貌进行了观察,利用X射线衍射(XRD)仪、X射线能谱(EDS)、X射线光电子谱(XPS)对薄膜的物相及成分进行了表征,采用热循环以及划痕法对膜层与基体的结合性能进行考核.结果表明,所制备的薄膜为ZrB2薄膜且膜层较为纯净,基本只含有Zr和B2种元素;ZrB2膜层和UO2基体结合性能良好,膜层生长致密均匀:膜层破坏的临界载荷约为455 mN.