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摘要:
最近,韩国研究人员开发出一种与微电子兼容的方法来生长石墨烯,在硅基底上成功合成了晶片级(直径4英寸)的高质量多层石墨烯。该方法基于一种离子注入技术,简单而且可升级。这一成果使石墨烯离商业应用更近一步。相关论文发表在本周的《应用物理快报》上。
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文献信息
篇名 韩开发出可与微电子兼容生长的石墨烯合成新方法
来源期刊 中国粉体工业 学科 工学
关键词 微电子 石墨 合成 生长 兼容 开发 离子注入技术 研究人员
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 54-54
页数 1页 分类号 TN41
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微电子
石墨
合成
生长
兼容
开发
离子注入技术
研究人员
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
中国粉体工业
双月刊
大16开
北京市海淀区上地信息路15号金融科贸大厦
2004
chi
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