一种奇异形状纳磁体逻辑器件的转换特性

• 作者: 康强 杨晓阔 耿道田 肖明清 蔡理
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 纳磁体逻辑器件 转换特性 首选磁化 奇异形状
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 171-175
• 页数: 5页
• 分类号: O471.1|TN4
• 字数: 3174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2015.04.028

摘要

研究了出现单个角缺失形状缺陷的纳磁体逻辑器件的转换特性。采用磁学计算软件对该类奇异形状纳磁体逻辑器件在角缺失幅度、纳磁体厚度和磁性材料变化下的首选磁化特性进行了仿真，发现不同材料制备的角缺失型纳磁体逻辑器件其首选逻辑态出现在邻近的临界角缺失幅度上，坡莫合金纳磁体极易受角缺失形状缺陷的影响，镀膜厚度的增加和高饱和磁化材料阻碍了器件首选逻辑态的出现。这些结果为如何控制并应用奇异形状纳磁体逻辑器件的首选磁化特性提供了重要的理论参数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖明清	空军工程大学航空航天工程学院	222	1568	18.0	30.0
2	杨晓阔	空军工程大学理学院	45	108	6.0	8.0
6	蔡理	空军工程大学理学院	136	382	8.0	11.0
7	耿道田	空军工程大学理学院	21	86	4.0	9.0
8	康强	空军工程大学科研部	14	67	4.0	8.0