研究了一种硅基十字型金属亚波长孔阵列在太赫兹波段的传输性质和电调谐性质.十字形半波长金属孔阵列加工在n型掺杂硅上形成肖特基结,其耗尽区的电导率可通过调整外加反向偏压实时控制,从而实现对增强谐振的太赫兹波传输的控制.由此提出了一种半导体材料电学特性与太赫兹器件电磁场特性结合的联合仿真方法:首先基于漂移扩散方程模拟半导体材料在不同偏置电压下载流子的稳态分布并计算出其对应的材料电导率,进而利用时域有限差分法仿真器件在太赫兹波段的传输性质.设计的原理型调制器在外加偏压分别为在0 V和16 V时在4.87 T Hz谐振频率处实现了76%的调制深度.并且硅介质材料和相对简单的器件结构使器件实现成本和难度大大降低.这种设计方法和器件结构也可被应用于其他太赫兹或光学频段,尤其在光学频段将具有更好的性能.