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摘要:
For the first time the effect of light on the CVC of strained p-n-junction in a strong microwave field is examined. It is shown that the deformation and the microwave field increase the current through p-n-junction, and the light decreases it. The mechanism of this phenomenon is explained by the fact that under heating of the charge carriers by microwave field the recombination current arises, and under the action of light the generation current arises which are directed oppositely. And under the influence of the deformation the band gap of the semiconductor will be changed.
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文献信息
篇名 The Effect of Light on the CVC of Strained p-n-Junction in a Strong Microwave Field
来源期刊 现代物理(英文) 学科 医学
关键词 Hot Electrons and Holes The Microwave Field p-n-Junction LIGHT PHOTOCURRENT Lasing and Recombination Currents Deformation CVC Strain p-n-Junction
年,卷(期) xdwlyw_2015,(15) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 2275-2279
页数 5页 分类号 R73
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研究主题发展历程
节点文献
Hot
Electrons
and
Holes
The
Microwave
Field
p-n-Junction
LIGHT
PHOTOCURRENT
Lasing
and
Recombination
Currents
Deformation
CVC
Strain
p-n-Junction
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代物理(英文)
月刊
2153-1196
武汉市江夏区汤逊湖北路38号光谷总部空间
出版文献量(篇)
1826
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