集成霍尔传感器灵敏度与1/f噪声的相关性研究

• 作者: 马玉嘉
• 来源期刊: 科技广场
• 学科: 工学
• 关键词: 集成霍尔传感器 1/f噪声 灵敏度
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 15-20
• 页数: 6页
• 分类号: TP212
• 字数: 2423字
• 语种: 中文

摘要

本文根据器件中热磁涨落和载流子缺陷辅助隧穿势垒的1/f噪声产生机理,推导了集成霍尔传感器的1/f噪声、缺陷和灵敏度的相关性模型.实验结果表明:当外加磁场是恒定的,集成霍尔传感器的电1/f噪声幅度和灵敏度都取决于传感器中缺陷数量,传感器中缺陷越少,该器件的噪声越小、灵敏度越高;当电场强度不变时,传感器磁1/f噪声与灵敏度都取决于传感器中的磁畴翻转,磁畴翻转越多,磁1/f噪声幅值越大,传感器灵敏度越小.实验结果与理论吻合良好.该结果为集成霍尔传感器中1 /f噪声对灵敏度的影响提供了一种有效的评估方法.