AgGa0.2In0.8Se2晶体小温度梯度生长与性质表征

• 作者: 唐明静 尹文龙 康彬 张羽 方攀 窦云巍 袁泽锐
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AgGa1-xInxSe2 晶体生长 温度梯度 坩埚下降法
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 306-310
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 1984字
• 语种: 中文

摘要

利用单温区机械振荡法合成出高纯单相AgGa0.2In0.8Se2多晶,单次合成量超过400 g;DSC测试结果显示其熔点为782℃,结晶温度为771℃.利用坩埚下降法在小温度梯度(2℃/cm)下生长出尺寸为φ25 mm× 75 mm高品质无开裂AgGa0.2In0.8Se2单晶.解离面(112)面摇摆曲线半峰宽为0.056°.厚度为3 mm双面抛光的(112)面晶片在1.5～18 μm波段透过率为65.0％ ～ 67.5％,表明所生长AgGa0.2In0.8Se2晶体具有较低的吸收系数,为0.01 ～0.1之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐明静	中国工程物理研究院化工材料研究所	8	36	4.0	5.0
2	康彬	中国工程物理研究院化工材料研究所	22	180	8.0	12.0
3	尹文龙	中国工程物理研究院化工材料研究所	5	11	2.0	3.0
4	袁泽锐	中国工程物理研究院化工材料研究所	3	1	1.0	1.0
5	张羽		3	13	2.0	3.0
6	窦云巍		2	5	1.0	2.0
7	方攀		3	5	1.0	2.0