基于TIA/EIA-899标准的TYPE-Ⅰ型M-LVDS接收器设计

• 作者: 曹成成 李智 赵建中 陈迪平
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: M-LVDS 高速接口 共模电压 迟滞
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 高性能计算
• 页码范围: 452-456
• 页数: 5页
• 分类号: TN914.3
• 字数: 2007字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2015.03.007

摘要

提出了一种基于TIA/EIA-899标准的TYPE-Ⅰ型M-LVDS接收芯片的实现方案,设计了一种新颖的共模搬移电路在实现超越电源电压轨的共模输入范围的同时简化了后级电路设计,节约了面积和功耗,电路中预放大器将输入信号放大一定倍数,迟滞比较器为系统引入迟滞效果.芯片采用GSMC0.18 μm 1P6M CMOS工艺流片验证.测试结果表明,该芯片共模输入范围为-1.4V～3.8V,信号传输速率大于250 Mbps,具有典型值为28 mV的迟滞效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈迪平	湖南大学物理与微电子科学学院	56	273	9.0	13.0
2	李智	湖南大学物理与微电子科学学院	31	240	8.0	15.0
4	赵建中	中国科学院微电子研究所	16	163	6.0	12.0
7	曹成成	湖南大学物理与微电子科学学院	2	5	2.0	2.0