Si、Cu和热处理工艺对Al-Si合金电导率的影响

• 作者: 李斌 李绍康 杨昭 杨续跃 许德英
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 晶格畸变 电导率 Al-Si合金
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 2857-2861
• 页数: 5页
• 分类号: TG146.2+1
• 语种: 中文

摘要

通过电导率测量、金相观察、扫描电镜分析和X射线衍射分析,研究了Si含量、Cu含量和热处理工艺对Al-Si系铸造合金晶格常数和电性能的影响规律.结果表明:Si和Cu元素的添加会减小合金的电导率;当Si含量超过固溶极限后,Si含量的变化对晶格畸变程度影响不大,合金的电导率受Si相的体积百分数控制;而Cu在固溶极限内时,随其含量的增加,晶格畸变程度增大,合金的电导率可根据铝基体晶格常数的偏离量来评估;经过450℃,5 h+250,2h热处理工艺,晶格畸变程度明显降低,合金的电导率有明显提高,增幅最高可达32％.