氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响

• 作者: 余志强 廖红华 张昌华 来国红
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 单层二硫化钼 电子结构 光电性质
• 年，卷（期）: 2015,（18）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 152-155,159
• 页数: 5页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2124字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.033

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响.结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64 eV.单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;同时通过氧和硒掺杂,使单层二硫化钼的禁带宽度变窄,光吸收特性增强,研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖红华	湖北民族学院电气工程系	71	326	10.0	15.0
2	张昌华	湖北民族学院电气工程系	28	131	6.0	10.0
3	余志强	湖北民族学院电气工程系	19	53	4.0	6.0
4	来国红	湖北民族学院电气工程系	16	30	3.0	4.0