线阵CCD全饱和单侧拖尾特性分析

• 作者: 周孟莲 张检民 张震 程德艳 蔡跃
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 全饱和单侧拖尾 拖尾长度 激光功率密度 积分时间 光生电荷量
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: TN249
• 字数: 3012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.041008

摘要

在用532 nm连续激光辐照TCD-1200D型线阵CCD的过程中,发现了光斑的全饱和单侧拖尾现象.为了分析这种现象的特性,实验测量了拖尾长度随激光功率、CCD积分时间和CCD驱动频率的关系,发现拖尾长度随着激光功率和积分时间的增加而增加,但在一定范围内与CCD驱动频率无关.通过理论计算和实验数据分析拟合发现,拖尾长度和激光功率密度和积分时间的乘积有关,并根据激光辐照下CCD器件光生电荷量的产生过程,推导出了拖尾长度与CCD势阱光生电荷量的关系,得到了拖尾长度随光生电荷量的变化曲线,为全饱和单侧拖尾现象机理分析提供了数据支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张检民	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	19	72	6.0	7.0
2	周孟莲	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	7	36	3.0	5.0
3	蔡跃	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	4	35	2.0	4.0
4	程德艳	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	6	18	2.0	4.0
5	张震	西北核技术研究所激光与物质相互作用国家重点实验室	12	55	4.0	7.0