残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响

• 作者: 刘如彬 孙强 张启明 李慧 王帅
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶格失配 太阳电池 残留应变 电池设计
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 947-949
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2135字
• 语种: 中文

摘要

由于晶格失配太阳电池中存在残留应变,1.0 eV InGaAs子电池和0.7 eV InGaAs子电池的带隙不再固定地对应于单一In组份,而是与In组份和残留应变都有关系.从实验和理论上研究了残留应变对晶格失配太阳电池带隙的影响,计算了不同应变和组份的InGaAs电池的等带隙分布线,并讨论了残留应变对晶格失配太阳电池设计的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘如彬	中国电子科技集团公司第十八研究所	6	22	3.0	4.0
2	王帅	中国电子科技集团公司第十八研究所	17	37	3.0	5.0
3	孙强	中国电子科技集团公司第十八研究所	32	139	7.0	10.0
4	张启明	中国电子科技集团公司第十八研究所	4	5	1.0	2.0
5	李慧	中国电子科技集团公司第十八研究所	8	25	3.0	4.0