CdSe/CdS核/壳纳米线的制备及光学性质研究

• 作者: 赵辉
• 来源期刊: 中国高新技术企业（中旬刊）
• 学科: 工学
• 关键词: CdSe CdS 纳米线 半导体 核壳结构 光致发光
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 【研发设计】
• 页码范围: 15-15,16
• 页数: 2页
• 分类号: TN304
• 字数: 1757字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13535/j.cnki.11-4406/n.2015.23.008

摘要

CdSe、CdS是重要的II-VI族纳米半导体化合物，具有较大的禁带宽度和激子束缚能，以宽带隙半导体CdS为壳层包覆窄带隙半导体CdSe核层，使表面缺陷减少，从而提高核层的荧光量子产率。文章对CdSe/CdS核/壳纳米线进行了制备，并探寻了CdSe/CdS核/壳纳米线的光学性质，为纳米材料在光学、光子学方面的应用奠定了基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵辉		3	0	0.0	0.0