TS-01C中波发射机MOSFET器件防击穿方法探讨

• 作者: 玉苏甫江·肉苏力
• 来源期刊: 通讯世界
• 学科: 工学
• 关键词: TS-01C中波发射及 MOSFET器件 防击穿方法
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 通信设计与应用
• 页码范围: 60-60
• 页数: 1页
• 分类号: TN838
• 字数: 1485字
• 语种: 中文

摘要

MOSFET作为一个时代的产物，随着技术领域的发展与进步，特别是针对大电流、小封装以及低功耗的MODFET器件的出现，已经得以广泛的运用。在中波发射机的脉宽调制以及功放电路当中被大量使用。但由于MOSFET器件自身特性的影响，在防雷防静电的操作当中存在一定困难。此次研究的根本目的，在于对TS-01C中波发射机MOSFET器件防击穿的方法进行探究，旨在探索解决方法。