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基于双极工艺的PWM控制芯片
基于双极工艺的PWM控制芯片
作者:
罗志勇
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
单片集成
PWM
死区调节
摘要:
随着现在电子设备市场需要在核辐射区工作,因此保障电子设备在核环境内持续稳定的工作也是电子设备需要克服的挑战。而文章就目前在研发的PWM控制芯片进行一系列的发展研究,主要包含的内容有它的几种结构原理、功能以及特性等。
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内容分析
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文献信息
篇名
基于双极工艺的PWM控制芯片
来源期刊
科技展望
学科
关键词
单片集成
PWM
死区调节
年,卷(期)
2015,(9)
所属期刊栏目
技术与应用
研究方向
页码范围
152-152
页数
1页
分类号
字数
2135字
语种
中文
DOI
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罗志勇
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单片集成
PWM
死区调节
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
科技展望
主办单位:
宁夏科技发展战略和信息研究所
出版周期:
旬刊
ISSN:
1672-8289
CN:
64-1054/N
开本:
大16开
出版地:
宁夏回族自治区银川市
邮发代号:
创刊时间:
1991
语种:
chi
出版文献量(篇)
34711
总下载数(次)
166
总被引数(次)
54544
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