GaN掺杂Er3+纳米颗粒的电子结构及光学性能分析

• 作者: 康利平 陈鹏
• 来源期刊: 河南大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: GaN 稀土掺杂 电子结构 光学性质 光致发光
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 所属期刊栏目: 现代物理与材料科学
• 页码范围: 247-252
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31|O614.33
• 字数: 3319字
• 语种: 中文

摘要

采用Material Studio软件模拟GaN掺杂稀土元素Er3+浓度在6.25％下的晶格结构,分析了掺杂GaN的光学特性,结论表明,掺杂后的GaN具有较好的发光性能.同时,实验上用氨还原法制备了3组掺杂GaN∶Er3+纳米颗粒.3组样品的X射线衍射结果均显示样品结构为六方纤锌矿结构,利用Scherrer公式,计算得到3组样品GaN∶Er3+纳米颗粒的平均晶粒大小为25.9 nm;测量了3组样品的GaN∶Er3+纳米颗粒的室温光致发光谱,获得了样品在可见光区(位于375～650 nm)的3个发光峰并对3组样品进行分析比较,分析了样品520 nm的激发光谱.由光致发光谱得到的3条发光峰表明所制备的GaN∶Er3+具有较好的光学性能.理论和实验上确定了稀土Er3+离子掺杂GaN纳米颗粒的较合适的掺杂浓度为6.25％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康利平	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	14	28	3.0	5.0
2	陈鹏	郑州轻工业学院物理与电子工程学院	18	30	3.0	4.0