Pt/TiO2/Nb∶SrTiO3/Pt器件的记忆效应

• 作者: 彭志华 胡继文 胡苹
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 阻变存储 负电容 双极性 氧空位
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2802字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2016.001.011

摘要

本文以Pt/TiO2/Nb∶SrTiO3/Pt为研究对象,研究了此种器件的阻变存储效应和容变存储效应.所研究的器件表现出明显的双极多态存储性能,同时也具备负电容的特性.在正、反向偏压的作用下,器件能够实现从导通状态到绝缘态或者其他程度的导通态的转变.不仅如此,该器件还表现出与初始状态关联的负电容特性.产生这些现象的原因可认为是氧空位在外加电场的驱动下移动造成的,从而使得器件的导电状态发生变化,同时也使得电荷变化滞后于电压的变化,产生了负电容现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡苹	南华大学数理学院	11	11	2.0	3.0
2	胡继文	南华大学数理学院	21	27	3.0	4.0
3	彭志华	南华大学数理学院	48	142	6.0	10.0