不同表面复合速率情况下IBC太阳电池发射区半宽度研究

• 作者: 吴元庆 周涛 李媛 陆晓东
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 背接触 太阳电池 发射区 半宽度 表面复合速度
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 专题论文
• 页码范围: 1688-1692,1698
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3835字
• 语种: 中文

摘要

利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分析了在不同背表面复合速率的情况下,发射区半宽度对IBC太阳电池短路电流密度(JsC)、开路电压(VOC)、填充因子(FF)及转换效率(Eff)的影响.结果表明:随着背表面复合速率的增大,对于不同发射区半宽度的情况,IBC太阳电池JSC、VOC、FF及Eff均显著降低.当背表面复合速率一定时,发射区半宽度越大,JSC、VOC越高,而FF越低.随着发射区半宽度的增大,IBC太阳电池Eff呈现先增大后减小的变化特点.当背表面复合速率较小(50～500 cm/s)时,最优的发射区半宽度为800 μm.当背表面复合速率较高(≥5000 cm/s)时,最优的发射区半宽度为1200 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周涛	渤海大学新能源学院	59	88	4.0	6.0
2	陆晓东	渤海大学新能源学院	76	99	4.0	6.0
3	吴元庆	渤海大学新能源学院	48	41	3.0	4.0
4	李媛	渤海大学新能源学院	32	47	4.0	6.0