长波碲镉汞变面积二极管器件

• 作者: 孔金丞 庄继胜 朱颖峰 李东升 李立华 李雄军 胡彦博 赵俊 韩福忠
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 长波碲镉汞 变面积二极管 表面钝化 R0A P/A
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 页码范围: 412-417
• 页数: 6页
• 分类号: TN215
• 字数: 3775字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.04.006

摘要

采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77～147 K温度范围对器件R0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响;127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李雄军		24	68	4.0	7.0
2	孔金丞		26	70	4.0	6.0
3	庄继胜		19	117	6.0	10.0
4	李立华		16	53	4.0	6.0
5	韩福忠		19	61	5.0	6.0
6	朱颖峰		22	75	5.0	6.0
7	赵俊		19	57	4.0	6.0
8	李东升		27	43	3.0	4.0
9	胡彦博		8	16	3.0	3.0