第一性原理研究C/Si比对SiC理想剪切强度的影响

• 作者: 李盈盈 苏文
• 来源期刊: 华中师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 理想剪切强度 第一性原理 蒙特卡罗模拟 SiC C团簇 非化学计量比
• 年，卷（期）: 2016,（2）
• 页码范围: 196-201
• 页数: 6页
• 分类号: O482.1
• 字数: 4895字
• 语种: 中文

摘要

使用第一性原理计算方法研究C/Si比对β-SiC的理想剪切强度的影响,建立化学计量比下理想β-SiC分子模型,用C原子替换其中的Si原子,经蒙特卡罗方法优化得到非化学计量比下的SiC分子模型,这些晶体的C/Si比的变化范围是1～1.52.每个模型样品都沿[100]方向剪切,得到其剪切应力应变关系,最终了解C/Si比对SiC理想剪切强度的影响.计算结果表明,随着C/Si比增加,SiC的理想强度总体上呈下降趋势.在剪切载荷逐渐增大情况下,晶体会在C团簇周围的C-C键或者C-Si键处断裂.C原子的聚集,会使SiC的剪切强度减少,因为C团簇内部存在应变,而且C团簇越大,SiC的剪切强度下降得越剧烈.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苏文	武汉大学动力与机械学院	1	0	0.0	0.0