线缺陷对扶手型石墨烯纳米带能隙的调控

• 作者: 刘丽丽 龙文
• 来源期刊: 首都师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 扶手型石墨烯纳米带 线缺陷 能隙
• 年，卷（期）: 2016,（1）
• 页码范围: 20-26,29
• 页数: 8页
• 分类号: O469
• 字数: 3942字
• 语种: 中文

摘要

采用单轨道最近邻紧束缚模型,我们研究了线缺陷的位置、类型和强度对扶手型石墨烯纳米带(AGNRs)能隙的调控.计算结果表明,对于带宽N为3n(n为整数)的半导体AGNRs,加一条位于Ni≠3m-1的两体线缺陷后(Ni为缺陷位置,m为整数),能隙关闭,纳米带呈金属性;而N=3n+1的半导体AGNRs关闭能隙的两体线缺陷位置为Ni≠3m-2.对于带宽N=3n+2的金属性AGNRs,可在Ni≠3m位置处加一条子格线缺陷打开能隙,使纳米带呈半导体性,同时在费米能附近出现一个波速为零的局域态;增加正常原子与缺陷原子之间的交叠积分,可使局域态消失,同时保持半导体性.利用格林函数方法,我们研究了一个两端口有限尺寸AGNRs的电子输运模型,计算了体系在有线缺陷时的透射系数和态密度,结果与能带谱计算结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙文	首都师范大学物理系	3	0	0.0	0.0
2	刘丽丽	首都师范大学物理系	13	176	5.0	13.0