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摘要:
利用5 V 数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及8路3级驱动电路,逐步提升 MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号,再经过次级驱动电路,提升为8路中高压驱动信号,加速输出级开关,产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12 V,输出电压为50~-200 V,输出脉冲前后沿均为1.5 ns,输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节,可在最小输出脉冲宽度3 ns 至直流信号之间变化。脉冲工作时,最大重频为3.3 MHz,固有延迟为50 ns,触发晃动小于0.2 ns,体积为86 mm×43 mm×23 mm。
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文献信息
篇名 用于高速成像的紧凑式像增强器门控脉冲发生器
来源期刊 现代应用物理 学科 工学
关键词 像增强器 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 阴极门控发生器
年,卷(期) 2016,(4) 所属期刊栏目 物理交叉学科
研究方向 页码范围 041203-1-041203-6
页数 1页 分类号 TN924
字数 1447字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 郭明安 42 264 10.0 14.0
2 李斌康 47 291 10.0 14.0
3 杨少华 25 170 7.0 12.0
4 严明 13 44 4.0 5.0
5 李刚 20 55 5.0 6.0
6 罗通顶 21 78 5.0 7.0
7 刘璐 8 31 4.0 5.0
8 高帅 6 13 3.0 3.0
9 杜继业 7 26 3.0 4.0
10 刘偲 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
像增强器
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
阴极门控发生器
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代应用物理
季刊
2095-6223
61-1491/O4
大16开
西安市69信箱15分箱
2010
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