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用于高速成像的紧凑式像增强器门控脉冲发生器
用于高速成像的紧凑式像增强器门控脉冲发生器
作者:
严明
刘偲
刘璐
李刚
李斌康
杜继业
杨少华
罗通顶
郭明安
高帅
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
像增强器
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
阴极门控发生器
摘要:
利用5 V 数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及8路3级驱动电路,逐步提升 MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号,再经过次级驱动电路,提升为8路中高压驱动信号,加速输出级开关,产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12 V,输出电压为50~-200 V,输出脉冲前后沿均为1.5 ns,输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节,可在最小输出脉冲宽度3 ns 至直流信号之间变化。脉冲工作时,最大重频为3.3 MHz,固有延迟为50 ns,触发晃动小于0.2 ns,体积为86 mm×43 mm×23 mm。
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文献信息
篇名
用于高速成像的紧凑式像增强器门控脉冲发生器
来源期刊
现代应用物理
学科
工学
关键词
像增强器
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
阴极门控发生器
年,卷(期)
2016,(4)
所属期刊栏目
物理交叉学科
研究方向
页码范围
041203-1-041203-6
页数
1页
分类号
TN924
字数
1447字
语种
中文
DOI
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作者信息
序号
姓名
单位
发文数
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G指数
1
郭明安
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李斌康
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291
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3
杨少华
25
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7.0
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严明
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李刚
20
55
5.0
6.0
6
罗通顶
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刘璐
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高帅
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研究主题发展历程
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像增强器
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
阴极门控发生器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代应用物理
主办单位:
西北核技术研究所
国防工业出版社
出版周期:
季刊
ISSN:
2095-6223
CN:
61-1491/O4
开本:
大16开
出版地:
西安市69信箱15分箱
邮发代号:
创刊时间:
2010
语种:
chi
出版文献量(篇)
533
总下载数(次)
1
总被引数(次)
594
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