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F掺杂对Bi4O4S3化合物超导电性的影响
F掺杂对Bi4O4S3化合物超导电性的影响
作者:
兰冬蓉
崔雅静
苏宇峰
赵勇
陈永亮
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
F掺杂
Bi4O4S3
超导电性
摘要:
用固相反应法制备了名义组分为Bi4O4-nFnS3(n=0,0.24,0.96)的多晶样品,并对其电输运性能及磁性能进行研究.X射线衍射结果表明,随着F掺杂量的增加,样品在不同晶向的衍射峰偏移方向不同,品格参数a变大但c略有减小.少量的F掺杂可抑制系统的超导电性,F掺杂量为0.24时,样品超导转变温度由未掺杂时的4.68 K降低到3.32 K,但当掺杂量达到0.96时,样品超导转变温度升高到5.05 K.
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文献信息
篇名
F掺杂对Bi4O4S3化合物超导电性的影响
来源期刊
低温物理学报
学科
关键词
F掺杂
Bi4O4S3
超导电性
年,卷(期)
2016,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
29-33
页数
5页
分类号
字数
语种
中文
DOI
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姓名
单位
发文数
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1
赵勇
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崔雅静
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节点文献
F掺杂
Bi4O4S3
超导电性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
低温物理学报
主办单位:
中国科学技术大学
出版周期:
双月刊
ISSN:
1000-3258
CN:
34-1053/O4
开本:
大16开
出版地:
安徽省合肥市金寨路96号
邮发代号:
26-136
创刊时间:
1979
语种:
chi
出版文献量(篇)
1833
总下载数(次)
3
总被引数(次)
4241
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