单向瞬态电压抑制二极管的参数提取

• 作者: 夏洪富 宣春 李勇 杨志强 王建国 谢海燕
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: TVS二极管 半导体建模 数值模拟 参数提取
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 复杂电磁环境
• 页码范围: 177-181
• 页数: 5页
• 分类号: O441.4
• 字数: 2560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201628.033202

摘要

在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难.为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息.通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数.通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度.利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型.对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好.本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建国		123	908	14.0	23.0
3	谢海燕		10	58	3.0	7.0
6	杨志强		14	84	4.0	9.0
7	李勇		12	49	3.0	6.0
8	宣春		9	77	3.0	8.0
9	夏洪富		8	58	3.0	7.0