瞬态电压抑制二极管的建模及仿真

• 作者: 汪洋 罗启元 蒋同全 金湘亮 黄薇
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 TVS二极管 热源模型 计算机辅助设计仿真 二次击穿点
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 电磁场与微波
• 页码范围: 927-931,936
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.70
• 字数: 2464字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201406.0927

摘要

基于0.5μm CMOS工艺，设计瞬态电压抑制(TVS)二极管。利用黑箱理论对该器件在高电压大电流下的反向工作特性建模，在 Matlab 数值模拟工具中利用所建模型仿真，获得了包含一次击穿、二次击穿(硬失效)点的反向 I–U特性曲线；基于 Silvaco TCAD 工艺器件仿真平台，经DC 仿真验证所建模型的准确性。仿真结果表明，2种方法获得的特性曲线基本吻合，本文所建数值模型能够预测 TVS二极管瞬态电压抑制时的电特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金湘亮	湘潭大学物理与光电工程学院	50	124	6.0	8.0
2	黄薇	湘潭大学物理与光电工程学院	3	6	2.0	2.0
3	汪洋	湘潭大学物理与光电工程学院	9	35	3.0	5.0
4	罗启元	湘潭大学物理与光电工程学院	1	4	1.0	1.0
5	蒋同全	湘潭大学物理与光电工程学院	1	4	1.0	1.0