轨道交通用750 A/6500 V高功率密度IGBT模块

• 作者: 刘国友 李群锋 罗海辉 覃荣震 黄建伟
• 来源期刊: 机车电传动
• 学科: 交通运输
• 关键词: 绝缘栅双极晶体管 “U”形增强型双扩散金属氧化物半导体 增强型受控缓冲层 横向变掺杂集电极 750 A/6500 V IGBT模块 轨道交通
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 所属期刊栏目: 研究开发
• 页码范围: 21-26
• 页数: 6页
• 分类号: U264.3+7|TN303
• 语种: 中文
• DOI: 10.13890/j.issn.1000-128x.2016.06.005

摘要

通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键.基于“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关键技术,研发了具有低通态损耗的6 500 V平面栅IGBT芯片及其配套快恢复二极管(FRD)芯片.将IGBT及FRD芯片封装成750 A/6 500 V IGBT模块并对其进行测试、试验,其动、静态特性与安全工作区(SOA)性能优良,满足我国高速动车组、大功率机车等轨道交通牵引的应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李群锋		2	1	1.0	1.0
2	刘国友		1	0	0.0	0.0
3	罗海辉		1	0	0.0	0.0
4	黄建伟		1	0	0.0	0.0
5	覃荣震		1	0	0.0	0.0