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摘要:
以聚铝氧烷为铝源,聚硼硅氮烷兼作硼源和硅源,共混得到SiBAlON陶瓷前驱体,经高温裂解得到SiBAlON陶瓷.采用TGA和XRD对SiBAlON前驱体的裂解行为及陶瓷产物晶相结构进行表征.结果表明,Al的引入降低了陶瓷的结晶温度,当陶瓷中的Al含量为l0wt%时,1 300℃处理后析出β-Si3N4晶体,1500℃时,陶瓷中的Al和O与无定型的Si-N结合生成出现Si2N2O和Si3Al3O3+1.5xN5-x结晶,1 700℃时Al和O与结晶的β-Si3N4固溶生成β’-SiAlON结晶,最终陶瓷产物晶相组成为Si2N2O/Si3Al3O3+1.5xN5-x/β’-SiAlON.对陶瓷的介电性能进行研究表明,温度<1 000℃时,其介电常数和介电损耗较为稳定,分别约为3和<0.004.
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关键词云
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文献信息
篇名 SiBAlON陶瓷前驱体的制备与裂解
来源期刊 宇航材料工艺 学科 工学
关键词 前驱体 裂解 SiBAlON 透波
年,卷(期) 2016,(3) 所属期刊栏目 新材料新工艺
研究方向 页码范围 33-36
页数 4页 分类号 TB3
字数 3404字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2330.2016.03.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 赵彤 中国科学院化学研究所高技术材料实验室 89 628 13.0 20.0
2 叶丽 中国科学院化学研究所高技术材料实验室 7 16 3.0 3.0
3 王立敏 3 11 2.0 3.0
4 孙妮娟 3 3 1.0 1.0
5 李远超 中国科学院化学研究所高技术材料实验室 1 0 0.0 0.0
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宇航材料工艺
双月刊
1007-2330
11-1824/V
大16开
北京9200信箱73分箱
1971
chi
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