CuXSe2(X=Al,Ga,In)中电子与晶体结构关系的研究

• 作者: 董玉静 高延利
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: ZnSe CuXSe2 结构 电荷 性质
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 可再生能源研究
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 2454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7699/j.ynnu.ns-2016-060

摘要

利用第一性原理研究对太阳能材料ZnSe和CuXSe2(X=Al,Ga,In)的结构进行优化并计算.重点分析电子在二元和三元半导体材料中对形变参数、键长等的影响.发现在二元半导体不会发生形变是由于电荷只在Zn与Se之间转移,整体显示电中性,而三元半导体中电荷不仅在分子内部转移,而且在分子间也有相互作用,造成整个分子带有一定的电荷,导致了结构的形变,且随着X原子序数的增加u值减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董玉静	信阳师范学院华锐学院理工系	4	1	1.0	1.0
2	高延利	信阳师范学院华锐学院理工系	4	1	1.0	1.0